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Microscopy Solutions For Semiconductor Failure Analysis

반도체 패키징 고장 분석 가속화

ZEISS 현미경 솔루션의 동급 최고 이미징, 효율적인 시료 준비 및 특성 분석으로 워크플로우를 혁신하세요
  • 고해상도, 넓은 시야각(field of view; FOV), 높은 처리량을 위한 최신 구조와 딥 러닝으로 시료 크기 제한의 한계를 넘어서는 X선 현미경 혁신
  • 처리량은 높이고 정밀한 표적 시료 준비를 위한 처리 시간은 며칠에서 몇 시간으로 단축하는 laser FIB
  • 사용 편의성이 개선된 고해상도 전자 현미경 Gemini 기술을 통한 이미징 및 분석 간소화

ZEISS 워크플로우 솔루션

여러분에게 어떤 도움이 될까요

반도체 패키징 기술이 발전함에 따라 결함 격리 및 물리적 분석 워크플로우에 새로운 과제가 등장했습니다.
ZEISS의 혁신적인 연결 및 연계 분석 워크플로우 솔루션은 이러한 새로운 과제를 해결하고 처리량과 성공률을 높입니다.

부위별 고장 분석
X선 데이터를 기반으로 laser FIB-SEM을 통해 부위별 시료 전처리를 진행하면 빠르고 정밀한 전처리가 가능합니다. 이 맞춤화된 워크플로우는 생산성을 향상시키고 몇 시간이 걸리던 처리 시간을 몇 분 이내로 단축하도록 설계되었습니다.

일상적인 이미징과 분석
기존의 기계적 polishing 및 광범위한 이온 빔 milling을 사용한 시료 전처리는 여전히 많은 경우에 적합합니다. 광학 및 X선 이미징 데이터를 사용하여 시료 준비를 진행하고 데이터를 ZEN 소프트웨어에 공급하면 ZEISS 전자 현미경을 통해 일상적인 이미징과 분석을 쉽고 빠르게 수행할 수 있습니다.

워크플로우 #1 | 부위별 고장 분석

부위별 고장 분석 워크플로우

  • 차단된 제3자 콘텐츠

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    XRM Scan Micro Bumps

    3D X-Ray 현미경

    X-Ray 현미경은 PoP를 비파괴로 관찰하고 분석을 위해 microbump와 같은 관심 있는 특징을 식별하는 데 사용됩니다.

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    Correlate by Sample-Centric Fiducials

    펨토초(fs) 레이저 절제

    PoP 시료 표면에 있는 기준점은 표면 아래에 위치한 목표 microbump를 식별하는 데 참조로 사용됩니다. 레이저를 사용하여 microbump에 접근하기 위해 10분 이내에 1 x 1 x 1 mm3 이상을 제거합니다.

  • LaserFIB workflow for massive material ablation

    FE-SEM 이미징

    집속 이온 빔을 사용하여 목표 관심 영역을 20분 이내에 polishing하고 후속 SEM 이미징 및 분석을 위해 microbump의 단면을 생성합니다.

기술 자료집

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자료집은 워크플로우의 기반이 되는 기술에 대해 자세히 알아볼 수 있는 백서와 웨비나로 구성되어 있습니다.

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워크플로우 2 | 일상적인 이미징과 분석

일상적인 이미징과 분석

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    3D X-ray scan of the SiP to identify and localize various components

    3D X-Ray 현미경

    먼저, 고해상도 3D XRM으로 반도체 패키지를 관찰하고 서브미크론 단위의 정확도로 관심 영역을 설정합니다.

  • 시료 준비

    그 다음, 획득한 3D X-ray 데이터를 사용하여 Perfect EdgeTM 만의 독자적인 시료 단면화 프로세스를 거쳐 정확하고 왜곡 없는 표면을 생성합니다.

    아래 리포트를 통해 변형 없는 단면 시료를 준비하여 다양한 재료에서 나노미터 크기의 특징을 고해상도로 분석하고 정확한 포렌식 고장 분석을 가능하게 하는 이온 빔 기반 기법인 MCS Perfect Edge™ 및 Perfect Edge 3D™ 에 대해 알아보세요.

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    Automated imaging of the wire bond.

    FE-SEM 이미징

    마지막으로, FE-SEM을 이용하여 준비된 표면을 관찰하고 분석합니다.

기술 자료집

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고장 분석 워크플로우를 구성하는 세 가지 현미경

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